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【2h】

0.5 µW Sub-Threshold Operational Transconductance Amplifiers Using 0.15 µm Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) Process

机译：采用0.15 µm完全耗尽型绝缘体上硅（FDSOI）工艺的0.5 µW亚阈值运算跨导放大器

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Piotr Olejarz; Kyoungchul Park; Samuel MacNaughton; Mehmet R. Dokmeci; Sameer Sonkusale;
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年度 2012
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1. 0.5 µW Sub-Threshold Operational Transconductance Amplifiers Using 0.15 µm Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) Process [J] . Kyoungchul Park, Mehmet R. Dokmeci, Piotr Olejarz, Journal of Low Power Electronics and Applications . 2012,第2期

机译：采用0.15 µm完全耗尽型绝缘体上硅（FDSOI）工艺的0.5 µW亚阈值运算跨导放大器
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